碳化硅海外龍頭企業擴產潮，紛紛瞄準8英寸

今日消息，英飛凌將大幅擴建馬來西亞居林的SiC產能，將在 2022 年 2 月宣布的投資之上，追投50億歐元新建一個全球最大的8吋SiC工廠。

據悉，該計劃的擴張得到了客戶承諾的支持，其中包括汽車和工業應用領域約 50 億歐元的新設計勝利以及約 10 億歐元的預付款。

未來五年，加上 Villach 和 Kulim 計劃的 200 毫米 SiC 轉換，這項投資將在本十年末帶來約 70 億歐元的年 SiC 收入潛力。這個競爭激烈的制造基地將支持英飛凌在本十年末實現 30% 的 SiC 市場份額目標。英飛凌有信心公司2025財年的SiC營收將提前實現10億歐元的目標。

【資料圖】

據悉，英飛凌該擴張計得到了客戶的廣泛支持，資金來源包括：汽車和工業應用領域約50 億歐元的新定點合同，以及現有和新客戶約 10 億歐元的預付款。

新定點的客戶包括3家中國汽車企業。英飛凌公布的名單中有福特、上汽和奇瑞。可再生能源領域客戶包括SolarEdge和中國三大領先的光伏和儲能系統公司。

海外龍頭紛紛瞄準8英寸擴產

1.Wolfspeed最早布局

2015年Wolfspeed便對外展示了8英寸碳化硅襯底。2019年5月，Wolfspeed宣布投入10億美元進行莫霍克谷新廠的建設。4月26日，全球最大的碳化硅供應商Wolfspeed公司宣布其位于美國紐約州莫霍克谷的碳化硅制造新廠開業，首批碳化硅晶圓已在早些時候開始制造。這座工廠采用的是8英寸碳化硅晶圓加工技術，也是全球首條8英寸生產線。這座工廠的啟動，加快了碳化硅行業從6英寸向8英寸晶圓過渡的步伐。

上個月，Wolfspeed發布消息稱公司已經開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET，首批供應的產品型號為C3M0040120K。也是這批次產品的正式交付，對碳化硅器件價格競爭更為劇烈起到了推動作用。

而隨著莫霍克谷工廠的投產，Wolfspeed也對未來的增長更加看好，近期，Wolfspeed已經將2024財年的收入目標上調至10億至11億美元，同比增長34%~47%。

在襯底端，Wolfspeed往8英寸方向變革也顯露出了更大的布局規劃，2022年9月9日，Wolfspeed 宣布，將投資約13億美元（約90億人民幣），在北卡羅來納州新建一個號稱世界上最大的碳化硅襯底工廠。新工廠計劃建于查塔姆縣（Chatham County），臨近Wolfspeed 已建成的達勒姆（Durham）碳化硅襯底工廠。

2.羅姆第三座新工廠導入8英寸

Rohm預計，新的生產基地預計到2030財年滿產，屆時碳化硅產能將達到2021財年的35倍。

3.ST與湖南三安合資擴產8英寸

6月8日，據意法半導體官網消息，公司與三安光電宣布，雙方已簽署協議，在中國重慶建立一個新的200mm碳化硅器件制造合資企業。該項目的完成有待監管部門批準。

據透露，新的碳化硅工廠計劃于2025年第四季度投產，預計在2028年全面建成，以支持中國汽車電氣化以及工業電力和能源應用不斷增長的需求。與此同時，三安光電將單獨建設和運營一個新的 200mm SiC 襯底制造工廠，以滿足合資企業的需求，使用自己的 SiC 襯底工藝。

值得一提的是，該合資企業將使用意法半導體專有的碳化硅制造工藝技術，專門為意法半導體生產碳化硅器件，并作為意法半導體的專用代工廠，支持其中國客戶的需求。

3.博世收購TSI半導體，2026年生產8吋碳化硅晶圓

今年5月，據路透社報道，德國博世集團（BOSCH）已經同意收購總部位于美國加利福尼亞州羅斯維爾（Roseville）的芯片制造商TSI半導體（TSI Semiconductors）的關鍵資產，并宣布再投資15億美元擴大其在美國的電動汽車用碳化硅芯片的產能。

據了解，此次收購包括 TSI 建物、機器和基礎設施、商業半導體業務。博世還將投資15億美元改建工廠，并計劃于2026年在其1萬平方英尺的無塵室生產8吋碳化硅晶圓。

博世并未公布收購金額，同時強調，實際的后續投資金額將視美國芯片法案補助額決定。

資料顯示，TSI半導體在美國加州 Roseville 有座 8 吋晶圓廠，員工有 250 人，為客制化 (ASIC) 芯片的專業代工商。TSI羅斯維爾工廠生產的碳化硅芯片可以為電動汽車提供更長的續航里程，充電速度更快，因此在電動汽車領域的需求將日益增長。根據博世的說法，市場對碳化硅半導體的需求正以每年30%的速度增長。收購完成后該廠將與博世位于德國兩座晶圓廠成為博世的三大支柱。

雖海外市場擴產腳步已紛紛轉向8英寸，但實際大規模量產仍需幾年時間。

意法半導體汽車和分立器件產品部功率晶體管事業部市場溝通經理Gianfranco DI MARCO表示，硅基半導體的發展歷史證明，改用更大尺寸的晶圓可以提高生產率。這是越來越多廠商積極推進8英寸晶圓的主要原因之一。

但碳化硅晶圓向8英寸升級并不容易，即便有少數幾家公司能夠成功量產8英寸晶圓也不意味著碳化硅的8英寸時代就此到來。IGBT發明人B.Jayant Baliga演講時就曾指出，碳化硅功率器件可以用更短的溝道長度和更小的單元尺寸來實現傳統器件的功能。但碳化硅與硅基半導體材料相比，襯底生長極為困難和緩慢，8英寸與6英寸碳化硅晶圓的工藝有很大差別，也更加復雜。

目前，我國碳化硅襯底晶圓制造領域，量產生產線仍以6英寸為主，且有效產能仍較低，還需攻克良率及成本問題，產線升級8英寸還有難度。國內目前津少量企業新建/擴產產能以購買6-8兼容的設備機臺，來為即將到來的8英寸時代做儲備。

面對8英寸時代的挑戰，國內器件廠商應與襯底、外延等原材料廠商積極配合，充分整合國內產業鏈企業，共同開發8英寸材料、工藝等技術，包括降低芯片導通電阻及芯片面積，提高單晶圓產出。同時整合國內供應鏈，利用國產襯底外延材料價格及產能優勢，降低成本提高產出，在研發、技術、工藝、質量、產業化等多個維度全面提升核心競爭力。

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